Бескорпусные p-i-n диоды и элементы

Бескорпусные p-i-n диоды и элементы с балочными выводами на основе последовательно-параллельного соединения мембранных p-i-n структур повышенного быстродействия и мощности рассеяния для работы в составе микрополосковых линий передач СВЧ устройств (дискретные фазовращатели АФАР, переключатели) в диапазоне 1-30 ГГц с основными параметрами:

Количество кристаллов в модуле до 4
Ёмкость Сд, пФ (при Uобр=10 В и fизм=1 МГц) 0,02-0,05
Мощность рассеивания, Вт до 1,5

Конструктивное исполнение — бескорпусной с балочными выводами.